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型号 SI6465DQ-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
SI6465DQ-T1-GE3 PDF
代理商 SI6465DQ-T1-GE3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 8V
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 12 毫欧 @ 8.8A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 450mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 4.5V
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装 8-TSSOP
包装 带卷 (TR)
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